Видеопамять GDDR6

Samsung — память GDDR6 уже совсем близко

Разное

Новый модуль уже получил награду. Компания Samsung похвалилась тем, что ее 16-гигабитная системная память GDDR6 получил премию Лучшей Инновации CES-2018, в своей категории.

Речь идет о системе, которая имеет обозначение K4ZAF325BM-HC14 — это 16-гигабитные кости GDDR6, работающие с напряжением 1,35 В. Это первый чип такого рода от компании Samsung, который, правда, все еще находится на стадии доработки, но компания подготовила образец специально для презентации.

Samsung может похвастаться, что ее 16-гигабитная система GDDR6 работает со скоростью до 16 Гбит/сек, достигая пропускной способности 64 ГБ/сек. Если применить такого рода память на видеокарте с GPU, имеющим 384-битный интерфейс памяти, то вся подсистема имела бы пропускную способность около 768 ГБИТ/сек. Это вдвое больше, чем в 8-гигабитных чипах GDDR5, которые достигают максимум 384 ГБ/сек.

Видеокарта GDDR6

Пока не известно, когда Samsung будет готова к запуску массового производства новых систем GDDR6. Nvidia уже объявила, что 7 января, в рамках выставки CES 2018, Jen-Hsun Huang (руководитель компании) будет делать большую презентацию. А в марте состоится следующая конференция GTC (GPU Technology Conference). В начале следующего года Nvidia представит следующее поколение видеокарт GeForce серии 2000 с процессорами, основанными на архитектуре Volta. Не исключено, что эта серия уже появится с системами памяти GDDR6.

GeForce GDDR6

Небольшое сравнение GDDR5 и GDDR6:

GDDR5 vs GDDR6

  • Density: 4Gb ~ 8Gb vs 8Gb ~ 16Gb;
  • Package: 170B (12×14) 0.8mm pitch vs 180B (12×14) 0.75mm pitch;
  • Burst Length: 8bit (DDR) vs 16bit (DDR/QDR optional);
  • External IO: X32 (x16) vs 2CH x32 (2CH x16 & PC Mode x32);
  • WCK Granularity: byte vs Byte / word (optional);
  • Pre-fetch per CH: 256bit (32GB access) vs 256bit (32B);
  • WCK Rate: 2f (DDR) vs 4f (DDR) / 2f (QDR);
  • Pin Data Rate: 8Gbps (Target 10Gbps) vs Up to 16Gbps;
  • IO: POD vs POD;
  • Voltage: 1.5V (1.35V) vs 1.35V;
  • VPP: — vs 1.8V;
  • Rx: CTLE per word vs 1-tap DFE per DQ;
  • CA Training @SRF: NO vs YES;
  • EDC Rate: Full (0x83 72bit) vs Full / Half (0x83 144bit / 0x83 XOR).